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PD-95291
IRF7807VD2PbF
? Co-Pack N-channel HEXFET ? Power MOSFET
and Schottky Diode
FETKY ? MOSFET / SCHOTTKY DIODE
? Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC
Converters Up to 5A Output
? Low Conduction Losses
? Low Switching Losses
? Low Vf Schottky Rectifier
A/S
A/S
A/S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K/D
K/D
K/D
K/D
? Lead-Free
D
Description
The FETKY ? family of Co-Pack HEXFET ? MOSFETs and
Schottky diodes offers the designer an innovative, board
space saving solution for switching regulator and power
SO-8
Top View
management applications. HEXFET power MOSFETs
utilize advanced processing techniques to achieve
DEVICE CHARACTERISTICS ?
extremely low on-resistance per silicon area. Combining
this technology with International Rectifier ’s low forward
drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient
device suitable for use in a wide variety of portable
electronics applications.
The SO-8 has been modified through a customized
leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO-
8 package is designed for vapor phase, infrared or wave
soldering techniques.
Absolute Maximum Ratings
R DS (on)
Q G
Q sw
Q oss
IRF7807VD2
17m ?
9.5nC
3.4nC
12nC
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Max.
30
±20
Units
V
Continuous Drain or Source
25°C
I D
8.3
Current (V GS ≥ 4.5V)
Pulsed Drain Current ?
70°C
I DM
6.6
66
A
Power Dissipation ?
Schottky and Body Diode
Average ForwardCurrent ?
25°C
70°C
25°C
70°C
P D
I F (AV)
2.5
1.6
3.7
2.3
W
A
Junction & Storage Temperature Range
T J , T STG
–55 to 150
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
Maximum Junction-to-Ambient ?
Maximum Junction-to-Lead
www.irf.com
R θ JA
R θ JL
50
20
°C/W
°C/W
1
10/08/04
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